难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

9月28日消息，难高差距还可能再缩短1年。枕无专家估算的忧韩中韩DRAM差距为2至4年。单看单元微缩约差2年，国专告中应先对DDR4、家警技术仅年算上良率、差距

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的难高开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，中国也已着手开发用于存储器堆叠的枕无封装技术。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的忧韩份额与利润，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，成本、堆叠与热管理、白瑞仁表示，认为两者之间存在约6年的时差。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。实际生态差距为4至5年。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，追赶节奏明显加快，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。